單晶金剛石熱沉片
1.極致均勻導熱：無晶界熱阻，熱導率穩定1800~2000W/(m·K)，全域散熱一致性＞99%，徹底解決晶片局部熱點；散熱能力是紫銅5倍、氮化鋁陶瓷7倍、多晶金剛石1.4倍；
2. 高頻超低損耗：絕緣介質、介電常數極低，毫米波射頻頻段信號損耗極小，適配5G/6G高頻器件，遠優於金屬類散熱基板；
3. 熱膨脹高度匹配晶片：CTE熱膨脹係數接近SiC/GaN第三代半導體晶片，高低溫迴圈下無翹曲、無應力開裂，器件使用壽命提升4倍以上；
4. 超高機械穩定性：硬度極高、抗壓強度強，耐衝擊、耐磨損，可承受大功率器件暫態熱衝擊；
5.工藝相容性強：裸片可自由二次加工，支持鐳射切割、臺階沉台、打孔開槽、圖形化金屬化，適配金絲鍵合、銀燒結、回流焊、壓接等全部封裝工藝。
技術參數
