IGBT 晶片優選採用超聲鍵合與焊接工藝，焊接於導電基板之上；導電基板再與散熱基板（通常為銅質）焊接連接，散熱基板則通過導熱矽脂與散熱器緊密貼合。將金剛石薄膜引入 IGBT 模組，可顯著提升整體傳熱性能，快速將大量熱量從器件傳導至散熱器，有效降低模組工作溫度與晶片結溫，延長 IGBT 模組使用壽命。

將高導熱金剛石材料應用於大功率 SiC 混合模組封裝結構，將混合模組內 IGBT 晶片與 JBS 晶片的局部熱點熱量由點迅速擴散為面，強化橫向散熱。進而提升混合模組的使用壽命與工作可靠性。