• 鐳射隱形切割剝離設備
鐳射隱形切割剝離設備

鐳射隱形切割剝離設備

新一代半導體晶圓、寬禁帶材料、量子晶體、光學晶片專用超精密無損切割與層間剝離裝備。不同於傳統刀輪切割、表面激光燒蝕切割,設備採用材料內部可透波長脈衝鐳射,光束穿透材料表面、聚焦於基材內部指定深度,利用多光子非線性吸收效應精准生成內部改質層,不破壞頂層功能結構與表面鍍膜,搭配自動擴膜、機械裂片、層間解離工藝,實現「表面零損傷、內部預切、潔淨剝離」的超精密加工效果。
設備同時集成隱形劃片、微裂紋誘導、薄膜剝離、薄晶圓裂片、異質結構分層多功能,徹底解決傳統工藝崩邊、碎屑、熱損傷、應力殘留、層間拉裂等問題,是超薄晶圓、量子金剛石晶片、第三代半導體、光學器件、高精密封裝的核心加工設備。

設備適用核心波長參數 Wavelength Application

本機採用半導體/晶體隱形切割專用透過波段鐳射,完全匹配量子金剛石與第三代半導體加工需求:

         工作鐳射波長:1064nm / 1030nm:對金剛石、矽、SiCGaN等材料高穿透,只在內部焦點產生改性,表面零損傷;

         可加工材料透光波段:完美适配深紫外至近紅外透光晶體,不破壞NV色心量子光學特性與晶體光學平整度。


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