鑽石（金剛石）熱沉片與襯底片在氧化鎵與氮化鋁功率晶片上用途與規格：

核心區分：單/多鑽石（金剛石）熱沉片直接鍵合在氧化鎵、AlN外延片下；多晶鑽石（金剛石）外延直接生長在基底（氧化鎵、AlN）

一、鑽石熱沉片（單/多晶CVD為主）

 用途

 1. 氧化鎵Ga₂O₃功率晶片

氧化鎵本征熱導率極低（≈9 W/mK），高壓器件焦耳熱極易造成熱擊穿；鑽石熱沉片直接鍵合貼在Ga₂O₃晶片背面，做晶片級擴熱，快速把熱點熱量匯出到水冷/微通道基板；適合分立高壓二極體、功率MOS、高壓開關。

特點：工藝簡單，存在少量介面熱阻，直接消除Ga₂O₃內部熱積累 。

 2. AlN氮化鋁功率晶片（AlN基功率/射頻器件）

AlN器件本身導熱優於氧化鎵，但高頻大功率工況（深紫外、高壓射頻）熱流密度極高；鑽石熱沉作為AlN晶片背面鍵合載片，可降低結溫，提升功率密度與可靠性；用於AlN薄膜器件散熱。

標準規格（單/多晶CVD熱沉片）

 - 熱導率：1600–2200 W/m·K；

- 尺寸：方形10×10mm、15×15mm、20×20mm；晶圓片2/4/6英寸，可定制切割；

- 厚度：100μm、200μm、300μm、500μm（常用200–300μm）；

- 表面拋光：單面CMP，Ra＜1nm；

- 電阻率：＞10¹³ Ω·cm，絕緣，避免器件漏電；

- CTE：1.0×10⁻⁶/K，降低與晶片之間熱應力。

二、鑽石薄膜（高導熱多晶CVD）

 用途

1. 氧化鎵Ga₂O₃功率晶片（Diamond-on-Ga₂O₃異質集成）

直接在β-Ga₂O₃襯底上長多晶鑽石薄膜，器件熱源直導熱在超高導熱多晶鑽石薄膜上，從根源大幅降低介面熱阻，相比Ga₂O₃在藍寶石/SiC上，結溫降幅可達上百度，適合超高功率、高電流密度Ga₂O₃射頻/功率器件；當前處於中試、樣品驗證階段，產業化難度高

2. AlN氮化鋁功率晶片（Diamond-on-AlN）

在AlN襯底上長多晶鑽石薄膜，鑽石作為高導熱薄膜；AlN同時充當勢壘層/緩衝層，用於深紫外器件、高頻AlN基功率器件；解決純AlN襯底導熱不足的瓶頸，目前屬於前沿研發樣品階段。

 標準規格（鑽石襯底片，外延級）

 - 熱導率：1200–1600W/m·K；

- 尺寸：目前主流1英寸、2英寸、4英寸與6英寸研發樣片；

- 厚度：300–500μm；

- 表面拋光：單面超精CMP，Ra＜1nm；

- 晶格品質：表面潔淨度滿足多晶金剛石生長；

- 電阻率：絕緣級，防止器件漏電。